专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产15年
全球碳化硅外延片主要生产商
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专业团队

专业团队

公司研发团队的基础是2011年引进的以王占国院士为首的7名中科院半导体所研究员所组成的广东省创新科研团队。多年来公司自主培养一支高水平研发团队,团队成员分别来自于西安电子科技大学,中国科学技术大学,港大知名院校

目前,公司通过加强产、学、研合作,建有中科院半导体所-天域碳化硅技术研究院、与厦门大学联合培养硕博研究生、西安交通大学联合培养博士后,设立广东省博士后创新实践基地,吸引和培育高层次人才。依托3个省级工程研究中心(广东省工程研究中心、广东省工程技术研究中心、广东省博士工作站)以及东莞松山湖企业研发机构的技术创新平台,提高研发团队的研发水平。

1)标准化工作

天域是SiC外延行业的引领者,制定SiC半导体相关国际标准1项,国家标准11项,团体标准12项、企业标准4项,累计承担或参与国家、省、市各级科研科技项目9项

2知识产权保护

公司拥有SiC外延全套核心技术,均为自主研发,作为保护,申请专利70余项;累计发表高水平论文20余篇。

3)体系认证

获得ISO45001ISO14001TS/IATF-16949汽车质量管理体系认证。

4重要技术突破

公司坚持自主科技创新的发展理念,天域半导体在4H-SiC外延材料产业化、器件结构材料生长技术、外延材料检测分析与标准化等方面开展了深入系统的研发工作,突破了np型原位掺杂与控制技术、快速外延及厚膜生长技术、实现了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产。

与此同时,公司也已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设,目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。

Ø 国内最早实现6英寸外延晶片量产

Ø 20 kV级以上的厚外延生长实现

Ø 缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术

Ø 多层连续外延生长技术

 

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